RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 4, страницы 333–336 (Mi qe1216)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Оптический пробой поверхности щелочно-галоидных кристаллов микросекундными импульсами широкоапертурного СО2-лазера

С. Г. Казанцев

ФГУП «Государственный лазерный Центр "Радуга" им. И. С. Косьминова», г. Радужный, Владимирская обл.

Аннотация: Исследована динамика временных и пространственных изменений спектральных характеристик плазменных образований. Предложен трехстадийный механизм разрушения поверхности щелочно-галоидных кристаллов микросекундными импульсами ТЕА СО2-лазера: зарождение пробоя (на расстоянии 3 — 5 мм от поверхности с временной задержкой относительно переднего фронта лазерного импульса до 1 мкс), испарение (с задержкой еще на 3 — 5 мкс) и взаимодействие адсорбентов с плазменным факелом и лазерным излучением, а также нагрев и растрескивание кристалла под действием УФ излучения плазмы.

PACS: 61.80.Ba, 52.50.Jm

Поступила в редакцию: 10.10.1997


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1998, 28:4, 322–325

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024