RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 3, страницы 610–611 (Mi qe12194)

Краткие сообщения

Деформация края поглощения селенида цинка под действием лазерного излучения

С. В. Гапоненко, В. П. Грибковский, Л. Г. Зимин, Н. К. Никеенко

Институт физики АН БССР, Минск

Аннотация: Исследована деформация спектра поглощения монокристаллов ZnSe при возбуждении их излучением лазера на красителях в интервале длин волн 446–458 нм. Установлена независимость формы спектра просветления от длины волны возбуждающего света, что свидетельствует об однородном характере уширения просветляющейся полосы поглощения.

УДК: 621.315.592

PACS: 79.20.Ds, 33.70.Jg, 33.20.Je

Поступила в редакцию: 14.07.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:3, 370–372

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024