RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 5, страницы 960–961 (Mi qe12240)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Твердотельные и полупроводниковые лазеры

Лазер на ионах гольмия в кристалле иттрий-скандий-галлиевого граната с модуляцией добротности

А. Н. Алпатьев, Е. В. Жариков, С. П. Калитин, В. А. Смирнов, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: На переходе 5I7 ионов Но в кристалле ИСГГ:Cr, Tu, Ho (λ = 2,088 мкм) реализован режим модуляции добротности с ламповой накачкой при комнатной температуре. Получена энергия гигантского импульса 280 мДж с вращающейся призмой и 80 мДж с электрооптическим затвором при частоте повторения 1 Гц.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Gd, 42.60.Jf, 42.70.Hj, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 16.09.1987


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, 18:5, 617–618

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024