RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 7, страницы 1462–1464 (Mi qe12327)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Температурная зависимость коэффициента усиления в Y3Al5O12:Cr3+, Tm3+–Ho3+

А. А. Никитичев


Аннотация: Изучено влияние концентрации соактиваторов на температурную зависимость коэффициента усиления на переходе 5I75I8 иона Ho3+Г ≈ 2,09 мкм) в кристаллах Y3Al5O12:Cr3+,Tm3+–Ho3+. Показано, что температурно-активируемым процессом разрушения инверсии является суммирование возбуждений верхнего лазерного уровня и 3F4 уровня Tm3+. Прямыми измерениями установлено, что между состояниями 3F4 (Tm) и 5I7 (Ho) реализуется режим сильного взаимодействия.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Lh, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 12.08.1987


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, 18:7, 918–919

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024