Генерация света в эпитаксиальных слоях сульфида кадмия

Получена генерация на монокристаллических слоях (0001) CdS, выращенных на подложках (0001) Al₂O₃ при возбуждении излучением N₂-лазера. Генерация наблюдалась в областях 492 и 497 нм при порогах 0,3 и 0,75 МВт/см² соответственно. Полуширина полос ~1 нм, расходимость излучения ~20°. Предполагается, что механизмами, ответственными за генерацию, являются экситон-фононный (линия 492 нм) и рекомбинация электронно-дырочной плазмы (497 нм).