RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 5, страницы 965–973 (Mi qe12382)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Влияние температурных эффектов на форму линии двухфотонного поглощения ионов, захваченных в ловушке

Е. А. Титов, В. А. Улыбин

Институт теплофизики СО АН СССР, Новосибирск

Аннотация: Исследована форма линии двухфотонного поглощения в поле стоячей волны для частиц, захваченных поперек светового пучка в осцилляторном потенциале. Показано, что она представляет собой эквидистантную решетку резонансов, если частота осцилляции и амплитуда тепловых колебаний иона больше однородной ширины линии и размера светового пучка соответственно. Учет температурных квадратичных эффектов Доплера и Штарка приводит к уширению каждого резонанса и изменению его формы. Обсуждается новая возможность устранения температурного уширения спектральных компонент формы линии.

УДК: 621.373.826

PACS: 32.80.Kf, 32.70.Jz

Поступила в редакцию: 25.05.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:5, 610–614

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024