Э. М. Беленов, П. Г. Елисеев, А. Н. Ораевский, В. И. Романенко, А. Г. Соболев, А. В. Усков, “Анализ оптического усиления при туннелировании электронов в квантоворазмерной полупроводниковой гетероструктуре”, Квантовая электроника, 15:8 (1988), 1595

Эта публикация цитируется в 1 статье

Нелинейные оптические явления и приборы

Анализ оптического усиления при туннелировании электронов в квантоворазмерной полупроводниковой гетероструктуре

Э. М. Беленов, П. Г. Елисеев, А. Н. Ораевский, В. И. Романенко, А. Г. Соболев, А. В. Усков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Теоретически исследуются оптические свойства туннельных квантоворазмерных полупроводниковых гетероструктур. Показано, что резонансное туннелирование с поглощением и излучением квантов электромагнитного излучения может приводить, в частности, к возможности получения усиления света такими структурами, причем линия усиления может перестраиваться приложенным напряжением.

PACS: 78.67.De, 68.65.Fg, 73.40.Gk

Поступила в редакцию: 06.05.1987