Аннотация:
Исследовано взаимодействие излучения неодимового лазера (λ = 1,06 мкм) с γ-облученным кристаллическим Si n-типа. Облучение производилось потоком γ-квантов 60Co мощностью 1,5 кР/с до доз 1 MP–10 ГР. Исследования велись методами оптической микроскопии и лазерной времяпролетной масс-спектрометрии. Экспериментально установлено, что высокодозное γ-облучение Si ведет к увеличению кратера разрушения, возникающего под действием лазерного излучения с q = 1–100 ГВт/см2, и уменьшает порог образования плазмы с кратностью заряда ионов z ≥ 2. Совместный анализ зарядовых, энергетических параметров плазмы, образующейся из облученного и исходного Si, ее способности поглощать излучение с λ = 1,06 мкм позволяет утверждать, что
γ-облучение исследуемой мишени способствует образованию более плотной и более высокозаряженной плазмы при одном и том же энерговкладе.