Аннотация:
Приведены и доказаны точные аналитические выражения для коэффициентов отражения от покрытия, состоящего из любого числа четвертьволновых слоев. С их помощью показано, что амплитуда поля на «сколотом» зеркале полупроводникового лазера заметно уменьшается, если показатели преломления соседних
слоев в интерференционном покрытии сильно различаются. Изучено влияние этих покрытий на выходную мощность лазерного излучения. Рассмотрено продольное распределение поля внутри полупроводникового лазера и установлено, что значение истинного поля на зеркалах заметно отличается от усредненного.