Измерение двумерного распределения потенциалов в интегральных схемах методом лазерного сканирования

Экспериментально осуществлены бесконтактные оптические измерения электрических потенциалов во внутренних точках интегральных схем, изготовленных на основе полупроводников, обладающих электрооптическим эффектом. Чувствительность разработанной методики к измеряемому напряжению 0,1В. Впервые получено двумерное изображение полупроводниковой структуры в потенциальном контрасте при лазерном сканировании.