А. П. Богатов, М. П. Рахвальский, “Растекание тока в полосковом полупроводниковом лазере с оксидной изоляцией”, Квантовая электроника, 15:9 (1988), 1720

Лазеры и лазерные усилители

Растекание тока в полосковом полупроводниковом лазере с оксидной изоляцией

А. П. Богатов, М. П. Рахвальский

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Точно решена задача растекания тока в модели для лазера с полосковой формой контакта. Определена эффективность накачки лазера переменным током.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 03.06.1987

Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, 18:9, 1070–1072

Реферативные базы данных: