Развитие оптического пробоя на поверхности полупроводников при воздействии двух лазеров с различными частотами

Экспериментально изучены закономерности возникновения оптического пробоя на поверхности кремния и германия при облучении лазерными импульсами с длиной волны 1,06 и 10,6 мкм и малой временной задержкой между ними. Теоретически объяснены основные экспериментальные зависимости. Снижение порога пробоя для излучения с длиной волны 10,6 мкм обусловлено внутризонным поглощением на свободных носителях, которые возникают при фотовозбуждении полупроводника импульсом излучения с длиной волны 1,06 мкм. Вблизи плазменного резонанса для излучения CO₂-лазера наблюдается резкое увеличение порога пробоя.