RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 9, страницы 1879–1880 (Mi qe12446)

Воздействие излучения на вещество, лазерная плазма

Фотоиндуцированное изменение показателя преломления в кристаллах Y3Al5O12:Nd

Х. С. Багдасаров, А. Б. Гильварг, В. Ф. Карягин, А. И. Мунчаев, Е. М. Уюкин, Е. А. Федоров

Институт кристаллографии АН СССР им. А. В. Шубникова, Москва

Аннотация: Обнаружено оптическое повреждение кристаллов ИАГ:Nd. Изменение показателя преломления обладает дисперсией в видимом диапазоне длин волн. Предполагается, что механизм эффекта обусловлен либо перезарядкой, либо фотовозбуждением дефектных центров.

УДК: 621.373.826

PACS: 78.20.Ci, 72.40.+w, 42.70.-a

Поступила в редакцию: 24.11.1987


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, 18:9, 1173–1174

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024