Аннотация:
Экспериментально исследовано влияние импульсного лазерного излучения на спектрально-временные изменения спектров пропускания монокристаллов CdSe при T = 4,2 K. Показано, что ограничение по интенсивности прошедшего через кристалл лазерного импульса в области основного экситонного состояния связано с
деухфотонным поглощением (ДФП), в котором экситонное состояние является промежуточным. Получен гигантский коэффициент ДФП ~103 см/МВт. Изучена эволюция фотовозбужденных неравновесных электронно-дырочных пар.