Высокочастотная аналоговая модуляция полупроводникового лазера

Представлены результаты исследования высокочастотных характеристик GaAlAs-инжекционных лазеров в режиме непрерывной модуляции. Измерения оптической амплитудно-частотной характеристики и частотной зависимости полного сопротивления дали возможность определить эквивалентные схемы двух разновидностей лазеров – полоскового и типа «канал в подложке», что позволяет проводить оптимизацию входных цепей лазерного излучателя. Показано, что лазеры канального типа обладают высокой линейностью модуляционной характеристики.