RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 10, страницы 2103–2106 (Mi qe12518)

Управление параметрами лазерного излучения

Формирование пикосекундных электрических импульсов инжекционными лазерами

П. П. Васильев, И. С. Голдобин, М. И. Ефимчик, С. В. Ефремов, Б. Н. Левитас, А. Б. Сергеев

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Впервые с помощью инжекционного лазера получены электрические импульсы с длительностью фронта менее 15 пс и амплитудой более 1,1 В при использовании полупроводниковых оптоэлектронных формирователей, действие которых основано на эффекте фотопроводимости. Источником оптических УКИ служил трехкомпонентный AlGaAs/GaAs-гетеролазер с модифицированным режимом модуляции добротности, излучавший импульсы длительностью 5 пс и энергией 50 пДж. Регистрация электрических УКИ осуществлялась сверхширокополосным стробоскопическим осциллографом С9-9 «Сигма» со временем нарастания переходной характеристики около 20 пс.

УДК: 621.373.82.6.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Gd, 72.40.+w

Поступила в редакцию: 19.02.1988


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, 18:10, 1321–1323

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024