Аннотация:
Рассмотрен новый метод расчета комплексной постоянной распространения и поперечного распределения поля для моды полупроводникового лазера, основанный на использовании энергетического баланса для волны, падающей на волноводную структуру. Метод позволяет свести процедуру нахождения постоянной распространения на комплексной плоскости к поиску решений на отрезках прямых, лежащих в этой плоскости и параллельных действительной оси. Это сокращает машинное время и позволяет эффективно делать расчет для сложных волноводных структур, которыми являются квантоворазмерные лазерные гетероструктуры.