RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 11, страницы 2511–2513 (Mi qe12528)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Краткие сообщения

О влиянии сильного магнитного поля на излучение инжекционного лазера на основе InP

Л. П. Зверевab, И. Исмаиловab, С. А. Негашевab

a Уральский государственный университет им. А. М. Горького, Свердловск
b Физико-технический институт им. С. У. Умарова ТаджССР, Душанбе

УДК: 621.378.35

PACS: 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 05.05.1976


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, 6:11, 1382–1383


© МИАН, 2024