RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Квантовая электроника
// Архив
Квантовая электроника,
1976
, том 3,
номер 11,
страницы
2511–2513
(Mi qe12528)
Эта публикация цитируется в
3
статьях
Краткие сообщения
О влиянии сильного магнитного поля на излучение инжекционного лазера на основе InP
Л. П. Зверев
ab
,
И. Исмаилов
ab
,
С. А. Негашев
ab
a
Уральский государственный университет им. А. М. Горького, Свердловск
b
Физико-технический институт им. С. У. Умарова ТаджССР, Душанбе
УДК:
621.378.35
PACS:
42.60.Jf
Поступила в редакцию:
05.05.1976
Полный текст:
PDF файл (536 kB)
Список цитирования
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976,
6
:11,
1382–1383
©
МИАН
, 2024