Расчет и оптимизация параметров излучающей структуры распределенной обратной связи

Предложен простой способ расчета коэффициентов отражения, излучения и прохождения структуры распределенной обратной связи (РОС) во втором порядке дифракции. В основе метода лежит малое отличие коэффициентов отражения и излучения поверхностной волны $R$ и $I$ при $\lambda=\lambda_\infty$ (где $\lambda_\infty$–длина волны света, соответствующая точному резонансу при длине решетки $\ell=\infty$) от их значений при $\lambda=\lambda_\ell$ (где $\lambda_\ell$ – длина волны света, соответствующая резонансу при конечной длине решетки). Простота метода позволяет его использовать для оптимизации структуры РОС по ряду параметров. Методика применима в случае тонкопленочного и диффузионного волноводов как для $H$-, так и для $E$-мод.