RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 11, страницы 2196–2198 (Mi qe12609)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Международная конференция по полупроводниковым инжекционным лазерам СЕЛКО-87

Непрерывные инжекционные гетеролазеры с распределенной обратной связью в системе InGaAsP (λ = 1,55 мкм)

В. И. Барышев, Е. Г. Голикова, В. П. Дураев, В. И. Кучинский, К. Ю. Кижаев, Д. В. Куксенков, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград

Аннотация: Исследованы особенности генерации в условиях мезаполосковых РОС-лазеров, созданных на основе двойной гетероструктуры (ДГС) с раздельным электронным и оптическим ограничением. Дифракционная решетка с периодом Λ = 0,46 мкм, изготовленная на поверхности верхнего волноводного слоя методом голографической фотолитографии, обеспечивала РОС во втором порядке. Пороговый ток в непрерывном режиме генерации при комнатной температуре равен 35–70 мА, температурный сдвиг длины волны генерации ~0,08 нм/K, коэффициент обратной связи, определенный по ширине брэгговской щели, составлял 110–150 см– 1.

УДК: 621.373.826.033.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Pk, 42.60.Jf, 42.60.Lh


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, 18:11, 1376–1378

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024