Металлоорганическая газофазная эпитаксия (GaAl)As для лазерных диодов на 0,85 мкм

Металлоорганическая газофазная эпитаксия использована для выращивания полосковых гетеролазерных диодов, раньше изготовлявшихся методом жидкофазной эпитаксии. Изучены основные соотношения между экспериментальными параметрами (входные парциальные давления, температуры) и свойствами материалов (толщины, составы твердых растворов, концентрации носителей). Сделан вывод о полном согласии с механизмом роста, управляемом газофазной диффузией. Приведены результаты, получаемые регулярно при выращивании GaAs. Гетеролазеры, изготовленные методом МОГФЭ, успешно конкурируют с лазерами, изготовлявшимися до сих пор методом ЖФЭ, включая аспекты деградации и надежности.