RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Квантовая электроника
// Архив
Квантовая электроника,
1988
, том 15,
номер 11,
страницы
2273–2275
(Mi qe12633)
Международная конференция по полупроводниковым инжекционным лазерам СЕЛКО-87
Расчет выхода лазерных диодов по характеристикам материала подложки (100) InP, используемого для эпитаксиального выращивания ДГС
А. Бервольф
,
П. Эндерс
,
А. Кнауэр
,
Д. Линке
,
У. Цаймер
Центральный институт оптики и спектроскопии АН ГДР, Берлин
Аннотация:
Показана связь выхода годных лазерных диодов с плотностью дислокаций и их распределением в подложке. Описана методика выявления ямок травления и их связь с дефектами подложки.
УДК:
621.373.826.038.825.4
PACS:
42.55.Px
,
73.40.Kp
,
61.72.Lk
Полный текст:
PDF файл (585 kB)
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988,
18
:11,
1422–1424
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2024