Многослойные омические контакты CrPtCr/NiAu с GaAs p-типа в лазерных гетероструктурах

Для контакта с p-стороной GaAs импульсных лазерных гетероструктур использована многослойная металлизация CrPtCr/NiAu с магнетронным распылением. Термообработка при 490°C в течение 3 мин ведет к формированию надежного омического контакта с удельным сопротивлением 10^– 6–10^– 5Ом · см² в зависимости от легирования подложки. Методы масс-спектроскопии вторичных ионов и обратного резерфордовского рассеяния позволили рассмотреть механизм образования контакта.