aЦентральный институт электронной физики АН ГДР, Берлин bЦентральный институт оптики и спектроскопии АН ГДР, Берлин
Аннотация:
Ускоренные испытания гетеролазеров GaAlAs/GaAs в согласии с более ранними результатами на светоизлучающих диодах показывают наличие трех различных форм старения: начальной и медленной стадий (обе с логарифмическим ходом во времени) и накладывающейся на них «градации» (повышение выходной мощности). Измерения методом ДЛТС в ходе испытаний в светодиодном режиме выявляют с самого начала образование B-уровней, относимых к антиструктурному дефекту GaAs. B-уровень появляется вновь в диодах, испытанных в лазерном режиме. Для группы из 21 отобранного лазерного диода средняя наработка до отказа составила 9 000 ч при 70°C и 5 мВт (согласно распределению Вейбулла скоростей деградации).