Д. Врук, А. Кнауэр, “Неоднородности легирования и поведение компенсации легирования в GaAs и InP n-типа”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2301

Международная конференция по полупроводниковым инжекционным лазерам СЕЛКО-87

Неоднородности легирования и поведение компенсации легирования в GaAs и InP n-типа

Д. Врук^ab, А. Кнауэр^ab

^a Центральный институт электронной физики АН ГДР, Берлин
^b Центральный институт оптики и спектроскопии АН ГДР, Берлин

Аннотация: Проведено сравнение распределений Sn и халькогенов SuSe в InP и GaAs, полученных с помощью ИК поглощения и эффекта Холла. Обсуждается возможная причина различия между значениями степени компенсации, определенными двумя методами.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 61.72.Vv, 61.72.Ss, 72.20.My, 72.80.Ey