RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 11, страницы 2304–2308 (Mi qe12642)

Международная конференция по полупроводниковым инжекционным лазерам СЕЛКО-87

Рекомбинационно-стимулированное движение дислокаций в соединениях AIIIBV

Й. Шрайбер, Г. С. Лейпнер

Университет им. Мартина Лютера, Галле, Виттенберг

Аннотация: Методом in situ-катодолюминесценции с помощью растрового электронного микроскопа наблюдалось стимулированное скольжение дислокаций. Дислокации, введенные специальным повреждением поверхности, приобретали высокую подвижность при возбуждении выше порога. Исследована зависимость скорости скольжения от плотности возбуждения и представлены первые количественные результаты по движению дислокаций при низких температурах.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 61.72.Hh, 68.47.Fg, 78.60.Hk, 68.37.Hk


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, 18:11, 1440–1443

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024