С. Н. Багаев, В. Г. Божков, В. Ф. Захарьяш, В. М. Клементьев, О. Ю. Малаховский, В. С. Пивцов, С. В. Чепуров, А. Г. Хамоян, “Применение диодов Шоттки для преобразования частот в системах субмиллиметрового и ИК диапазонов”, Квантовая электроника, 25:6 (1998), 558

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Применение диодов Шоттки для преобразования частот в системах субмиллиметрового и ИК диапазонов

С. Н. Багаев^a, В. Г. Божков^b, В. Ф. Захарьяш^a, В. М. Клементьев^a, О. Ю. Малаховский^b, В. С. Пивцов^a, С. В. Чепуров^a, А. Г. Хамоян^a

^a Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
^b Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск

Аннотация: Экспериментально исследованы диоды на барьере Шоттки двух типов (на основе InP и GaAs), используемые для преобразования частот субмиллиметрового, ближнего и среднего ИК диапазонов. Показано, что в области λ = 0.8 — 10 мкм более эффективным преобразователем частоты являются InP-диоды, а в субмиллиметровом диапазоне — GaAs-диоды. С InP-диодами в области λ ~10 мкм впервые получены сигналы биений с разностной частотой до ~1.7 ТГц. Показано, что в субмиллиметровом и ИК диапазонах в качестве видеодетектора более эффективен GaAs-диод. Диоды Шоттки использованы в системе оптических часов.

PACS: 42.65.Ky, 85.30.Hi, 73.30.+y

Поступила в редакцию: 27.02.1998