RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1977, том 4, номер 8, страницы 1702–1707 (Mi qe12694)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Радиационные центры окраски в кристаллах Y3Al5O12:Cr3+

Х. С. Багдасаров, Л. Б. Пастернак, Б. К. Севастьянов

Институт кристаллографии АН СССР, Москва

Аннотация: Исследованы спектры поглощения и термолюминесценции центров окраски в кристаллах иттрий-алюминиевого граната на серии образцов с концентрацией хрома 0–0,8%. Исследования показали, что наведенное поглощение в области 300 нм вызвано ионизационными дефектами в решетке кристаллов ИАГ. Поглощение в области 380 и 480 нм связано с примесью хрома и проявляется в диапазоне концентраций 0,03–0,3%. Максимумам 380 и 480 нм соответствуют два типа ловушек с глубиной уровней захвата 1,1 и 0,8 эВ.

УДК: 535.343:549.517

PACS: 61.70.Dx, 78.40.Ha, 78.55.Hx, 78.60.Kn

Поступила в редакцию: 21.09.1976


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1977, 7:8, 965–968


© МИАН, 2024