Н. Г. Басов, В. С. Каргапольцев, Е. П. Малыгин, В. К. Малышев, В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. С. Семенов, О. Н. Таленский, “Одночастотный инжекционный полупроводниковый лазер на основе GaAs”, Квантовая электроника, 4:8 (1977), 1815

Краткие сообщения

Одночастотный инжекционный полупроводниковый лазер на основе GaAs

Н. Г. Басов, В. С. Каргапольцев, Е. П. Малыгин, В. К. Малышев, В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. С. Семенов, О. Н. Таленский

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Приводятся результаты экспериментальных исследований одиочастотных инжекционных лазеров на основе GaAs, которые работали в непрерывном режиме генерации при температуре 77 K. Лазеры работали на одной продольной моде плоского резонатора в широком диапазоне токов инжекции (вплоть до 7-кратного превышения над пороговым значением), при этом полная мощность изучения составляла более 50 мВт.

УДК: 621.382.3

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 25.02.1977