RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 7, страницы 647–650 (Mi qe1276)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество

Динамика оптического разрушения выходного зеркала гребневых полупроводниковых лазеров на основе напряженных квантоворазмерных гетероструктур

И. В. Акимоваa, А. П. Богатовa, А. Е. Дракинa, В. П. Коняевb

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва

Аннотация: Исследование динамики катастрофического оптического разрушения грани лазерного диода показало, что характерное время энерговыделения для оптического разрушения составляет 40 — 80 нс. В импульсном режиме работы лазера с длительностью меньше этого характерного времени, разрушение будет определяться критической энергией импульса. По оценке толщина области, подвергнутой перегреву, составляет менее 0.6 мкм.

PACS: 42.55.Px, 61.80.Ba

Поступила в редакцию: 29.01.1998


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1998, 28:7, 629–632

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024