RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 12, страницы 2504–2507 (Mi qe12763)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Вопросы лазерной накачки

Особенности развития генерации в полупроводниковых лазерах с электронной накачкой

О. В. Богданкевич, В. О. Давыдов, Ю. А. Кудеяров, М. М. Зверев, В. Н. Файфер, А. В. Шустов

Всесоюзный научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума, Москва

Аннотация: На основе ранее предложенной модели предлагается новый подход к описанию динамики полупроводниковых лазеров. Показано, что указанный подход позволяет с единой точки зрения описать как пичковый режим генерации, так и изменение спектра излучения в течение импульса накачки.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 01.09.1987
Исправленный вариант: 22.02.1988


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, 18:12, 1572–1574

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024