О влиянии самофокусировки на разрушение полупроводников группы AII–BVI лазерным излучением

Исследован характер и величина порогов разрушений под действием излучения рубинового и неодимового лазеров в зависимости от ширины запрещенной зоны смешанных полупроводников CdS_xSe_1–x и Zn_xCd_1–xS. Показано, что в зависимости от соотношения между шириной запрещенной зоны полупроводника и величиной энергии лазерного кванта в них могут наблюдаться как поверхностные, так и объемные разрушения. Механизм поверхностных разрушений связан с поглощением части энергии лазерного излучения, приводящим к разогреву и плавлению полупроводника. Объемные разрушения начинаются со стадии самофокусировки, которая и является ограничивающим фактором, определяющим оптическую прочность полупроводника. Возможным механизмом объемных разрушений является электронная лавинная ионизация.