RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1977, том 4, номер 9, страницы 2007–2009 (Mi qe12819)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Фунциональные элементы интегрально-оптических схем на основе эпитаксиальных GaAlAs–GaAs-гетероструктур

Ю. А. Быковскийab, Ю. П. Захаровab, А. В. Маковкинab, В. К. Малышевab, В. И. Молочевab, В. Л. Смирновab, О. Н. Таленскийab, А. В. Шмалькоab

a Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
b Московский инженерно-физический институт

Аннотация: Исследованы активные устройства интегральной оптики на основе эпитаксиальных GaAlAs–GaAs-гетероструктур, объединенные на общей подложке из GaAs. Показана возможность комплексного использования функциональных элементов на основе GaAlAs-гетероструктур в схемах интегральной оптики. Создан интегрально-оптический оптрон и исследованы основные параметры и характеристики интегрально-оптического узла, работающего в различных режимах.

УДК: 621.373.826:621.396

PACS: 42.82.+n, 73.40.Lq

Поступила в редакцию: 01.02.1977


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1977, 7:9, 1144–1145


© МИАН, 2024