aФизический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва bМосковский инженерно-физический институт
Аннотация:
Исследованы активные устройства интегральной оптики на основе эпитаксиальных GaAlAs–GaAs-гетероструктур, объединенные на общей подложке из GaAs. Показана возможность комплексного использования функциональных элементов на основе GaAlAs-гетероструктур в схемах интегральной оптики. Создан интегрально-оптический оптрон и исследованы основные параметры и характеристики интегрально-оптического узла, работающего в различных режимах.