RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 7, страницы 579–581 (Mi qe1282)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Письма в редакцию

Эффект Фарадея в нанокристаллах CdMnTe, выращенных методом лазерного напыления

П. И. Никитинa, А. И. Савчукb, И. Д. Столярчукb, С. И. Никитинc, А. Перронеd

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Черновицкий государственный университет, Украина
c Чувашский государственный университет им. И. Н. Ульянова
d Istituto Nazionale Fisica della Materia and Department of Physics, University of Lecce, Italy

Аннотация: Впервые методом лазерного напыления из композитной мишени получены нанокристаллы Cd1-xMnxTe, диспергированные в матрицу диэлектрика SiO2. Изучение эффекта Фарадея в нанокристаллах полумагнитного полупроводника позволило обнаружить его усиление по сравнению с обьемными кристаллами, которое объясняется увеличением сил осцилляторов экситонных переходов и их разности во внешнем магнитном поле. Показано, что магнитополевая зависимость фарадеевского вращения нанокристаллов при гелиевых температурах линейна в полях до 200 кЭ, а температурная зависимость в интервале 4.2 — 30 К имеет особенность, связанную с переходом наночастиц из парамагнитного состояния в состояние спинового стекла. Обнаружено, что температура этого перехода в исследуемых нанокристаллах выше точки «остывания» объемных полумагнитных полупроводников.

PACS: 78.20.Ls, 42.62.Cf, 78.66.Jg

Поступила в редакцию: 22.04.1998


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1998, 28:7, 561–563

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024