Н. Б. Звонков, Б. Н. Звонков, А. В. Ершов, Е. А. Ускова, Г. А. Максимов, “Полупроводниковые лазеры на длину волны 0.98 мкмс выходом излучения через подложку”, Квантовая электроника, 25:7 (1998), 622

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Лазеры. Активные среды

Полупроводниковые лазеры на длину волны 0.98 мкмс выходом излучения через подложку

Н. Б. Звонков, Б. Н. Звонков, А. В. Ершов, Е. А. Ускова, Г. А. Максимов

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Разработан и экспериментально исследован полупроводниковый лазер на структуре InGaAs/GaAs/InGaP новой конструкции — лазер с выходом излучения через подложку, позволяющий получить узкую диаграмму направленности в перпендикулярной p – n-переходу плоскости. Получена мощность 0.63 Вт в пучке с расходимостью излучения в этой плоскости 1.2°.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 01.04.1998