RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1977, том 4, номер 6, страницы 1257–1267 (Mi qe12879)

Эта публикация цитируется в 35 статьях

Рекомбинационные лазеры на парах химических элементов. II. Генерация на ионных переходах металлов

В. В. Жуков, В. С. Кучеров, Е. Л. Латуш, M. Ф. Сэм

Ростовский государственный университет

Аннотация: С точки зрения общих требований к расположению уровней и условиям разряда рассматриваются механизмы генерации в рекомбинационных ионных лазерах на парах стронция, кальция, бериллия, алюминия, олова и свинца. Основное внимание уделено лазеру на парах стронция. Рассчитана инверсия на переходе с λ = 430,5 нм Sr II с учетом радиационных и столкновительных переходов между уровнями. Показана роль девозбуждающих соударений с медленными электронами в расселении нижнего лазерного уровня. Приведен расчет и результаты экспериментов по определению электронной температуры в послесвечении газового разряда в смесях паров металлов с инертными газами. Обнаружено увеличение электронной температуры с ростом давления паров металла и дано объяснение этому эффекту. Сообщается о получении средней мощности 0,5 Вт на λ = 373,7 нм Ca II и 1 Вт на λ = 430,5 нм Sr II при частоте следования импульсов 5 кГц и КПД 0,1–0,14%. Кратко рассматривается расположение рабочих уровней новых рекомбинационных лазерных переходов в ионных спектрах бериллия, алюминия, олова и свинца.

УДК: 621.378.325:621.359.3

PACS: 42.55.Hg

Поступила в редакцию: 21.07.1976


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1977, 7:6, 708–714


© МИАН, 2024