RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1977, том 4, номер 6, страницы 1370–1372 (Mi qe12898)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Краткие сообщения

Некоторые особенности генерации тонкопленочных лазеров с усиливающей граничной средой

Н. И. Авдеева, В. И. Борисов, В. И. Лебедев

Институт физики АН БССР, Могилев

Аннотация: Проведено сравнительное исследование особенностей генерации тонкопленочных лазеров на усиливающих световодных слоях и в световодах с активной граничной средой (САГС). Преимущество лазеров на САГС заключается в возможности технологического разделения процессов изготовления световодных и усиливающих слоев. В экспериментах в качестве усиливающей среды использовались жидкие и полимерные слои, активированные родамином 6G. Показано, что в лазере на САГС, в отличие от лазеров на активных световодных слоях, генерируют преимущественно поперечные моды высокого порядка. Пороговые мощности оптической накачки обоих типов лазеров могут быть сделаны близкими.

УДК: 621.372.8:535

PACS: 42.55.Mv, 42.80.Lt

Поступила в редакцию: 24.09.1976


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1977, 7:6, 776–778


© МИАН, 2024