И. Ю. Скобелев, А. Бартник, Е. Бехар, Р. Дорон, В. М. Дякин, Е. Костецки, П. Мандельбаум, А. Я. Фаенов, Г. Федорович, Ж. Л. Швоб, М. Щурек, Р. Яроцки, “Диэлектронные сателлиты линии He$_{\beta}$ иона Si XIII в плотной лазерной плазме”, Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 8,страницы 697

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество

Диэлектронные сателлиты линии He$_{\beta}$ иона Si XIII в плотной лазерной плазме

И. Ю. Скобелев^a, А. Бартник^b, Е. Бехар^c, Р. Дорон^c, В. М. Дякин^d, Е. Костецки^b, П. Мандельбаум^c, А. Я. Фаенов^a, Г. Федорович^b, Ж. Л. Швоб^c, М. Щурек^b, Р. Яроцки^b

^a Центр данных по спектрам многозарядных ионов, п. Менделеево, Московская обл.
^b Институт оптоэлектроники Военно-технического университета, Варшава, Польша
^c Институт физики им. Дж. Рака, Еврейский университет, Иерусалим, Израиль
^d Всероссийский научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений, п. Менделеево, Московская обл.

Аннотация: Впервые проведены прецизионные измерения длин волн и идентификация в спектре излучения лазерной плазмы сателлитов линии He$_\beta$ иона Si XIII, обусловленных радиационным распадом уровней $1s3l_13l_2$ иона Si XII, и с лучшей точностью определены длины волн для конфигураций $1s2l_13l_2$. Полученные экспериментальные данные сопоставлены с расчетами, выполненными различными методами. Структура относительных интенсивностей сателлитов $1s3l_13l_2$ указывает на то, что их излучение осуществляется преимущественно из тонкой закритической области плазмы с $N_e > N_e^{cr}$.

PACS: 52.25.Nr, 52.50.Jm, 42.62.Fi

Поступила в редакцию: 12.02.1998