Интегрально-оптический демультиплексор на основе волноводной структуры SiO2–SiON

Сообщается о реализации на основе структуры SiO₂–SiON интегрально-оптического демультиплексора, работающего в области длин волн 1.5 мкм. Размеры чипа демультиплексора составляют 10 × 10 мм. Представлены параметры оптической схемы устройства, описана технология его производства и приведены результаты измерений рабочих характеристик. Показано, что перекрестные помехи между отдельными каналами связи (K = 8) не превышают -25дБ. Продемонстрирована работа демультиплексора в качестве селективно отражающего зеркала и показано, что он может быть использован при создании многочастотных источников лазерного излучения для систем волоконно-оптической связи.