Е. М. Дианов, А. А. Рыбалтовский, С. Л. Семенов, А. Н. Гурьянов, В. Ф. Хопин, “Фоточувствительность световодов с большой концентрацией GeO2 под действием ближнего УФ излучения (300–350 нм)”, Квантовая электроника, 36:2 (2006), 145

Эта публикация цитируется в 1 статье

Волоконные световоды, волноводы

Фоточувствительность световодов с большой концентрацией GeO₂ под действием ближнего УФ излучения (300–350 нм)

Е. М. Дианов^a, А. А. Рыбалтовский^a, С. Л. Семенов^a, А. Н. Гурьянов^b, В. Ф. Хопин^b

^a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
^b Институт химии высокочистых веществ РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Впервые исследована фоточувствительность световода с молярной концентрацией (долей) GeO₂ в сердцевине 97% на длинах волн ближнего УФ диапазона. Обнаружено, что при низкоинтенсивном (150 Вт/см²) облучении на длинах волн 305.5 и 333.6 нм наведенный показатель преломления в данном световоде имеет высокое значение (~1.5×10^-3 ). Показано, что с уменьшением длины волны облучения фоточувствительность возрастает.

PACS: 42.81.-i, 42.70.Gi, 42.70.Nq

Поступила в редакцию: 05.12.2005