Аннотация:
Создана трехмерная дифракционная модель полупроводникового усилителя на основе гетероструктур, описывающая распространение поля и установление оптической моды с учетом кинетики усиления в рамках диффузионного уравнения для носителей тока в квантовой яме. Приводятся результаты применения этой модели для усилителя с асимметричным широким волноводом и антиволноводной структурой в боковом направлении, не удерживающей поле. Показано, что для такой структуры длина установления основной моды сопоставима с длиной, на которой слабый сигнал увеличивается на два порядка. Анализируется баланс усиления и потерь для установившейся моды в зависимости от ширины волноводных вставок. Изучено влияние этой ширины на свойства основной оптической моды, в том числе на распределение поля в дальней зоне.