В. Э. Кисель, А. Е. Трошин, В. Г. Щербицкий, Н. В. Кулешов, А. А. Павлюк, Ф. Брюннер, Р. Пашотта, Ф. Морие-Геноуд, У. Келлер, “Люминесцентные и генерационные характеристики кристаллов KY(WO4)2:Yb3+ с высоким уровнем легирования”, Квантовая электроника, 36:4 (2006), 319

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Лазеры и усилители

Люминесцентные и генерационные характеристики кристаллов KY(WO₄)₂:Yb³⁺ с высоким уровнем легирования

В. Э. Кисель^a, А. Е. Трошин^a, В. Г. Щербицкий^a, Н. В. Кулешов^a, А. А. Павлюк^b, Ф. Брюннер^c, Р. Пашотта^c, Ф. Морие-Геноуд^c, У. Келлер^c

^a НИИ оптических материалов и технологий, Белорусский национальный технический университет, г. Минск
^b Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, г. Новосибирск
^c ETH Zurich, Physics Department, Institute of Quantum Electronics, Switzerland

Аннотация: Проведены измерения времени затухания люминесценции с учетом эффектов перепоглощения для кристаллов KY(WO₄)₂:Yb (KYW:Yb) с атомными концентрациями активных ионов от 0.2% до 30%. Измеренное радиационное время жизни ионов YbYb³⁺ составило 233 мкс. В непрерывном режиме генерации достигнута выходная мощность 1.46 и 1.62 Вт с эффективностью 52% и 47% для лазеров на кристаллах KYW:Yb с атомной концентрацией ионов YbYb³⁺ 10% и 30% соответственно. При использовании полупроводникового зеркала с насыщающимся поглотителем (SESAM) в режиме пассивной синхронизации мод были получены импульсы с длительностями 194 и 180 фс на длинах волн 1042 и 1039 нм для кристаллов с концентрациями YbYb³⁺ 10% и 30% соответственно, при этом средняя выходная мощность составила 0.63 и 0.75 Вт.

PACS: 32.50.+d, 42.55.Rz, 42.60.Lh, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 10.11.2005
Исправленный вариант: 12.01.2006