Т. Т. Басиев, С. В. Гарнов, В. И. Вовченко, А. Я. Карасик, С. М. Климентов, В. А. Конюшкин, С. Б. Кравцов, А. А. Малютин, А. Г. Папашвили, П. А. Пивоваров, Д. С. Чунаев, “Прямое усиление пикосекундных импульсов в кристаллах LiF:F2-”, Квантовая электроника, 36:7 (2006), 609

Эта публикация цитируется в 73 статьях

Специальный выпуск, посвященный 90-летию академика А.М.Прохорова

Прямое усиление пикосекундных импульсов в кристаллах LiF:F₂^-

Т. Т. Басиев, С. В. Гарнов, В. И. Вовченко, А. Я. Карасик, С. М. Климентов, В. А. Конюшкин, С. Б. Кравцов, А. А. Малютин, А. Г. Папашвили, П. А. Пивоваров, Д. С. Чунаев

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Создан усилитель пикосекундных импульсов с выходной мощностью до 10¹⁰ Вт и энергией до 30 мДж на длине волны λ = 1180 нм на основе кристаллов с центрами окраски LiF:F₂^-. Пробный пикосекундный сигнал с λ = 1180 нм, энергией 0.03 мДж и длительностью 3–5 пс создавался ВКР-излучением, полученным при внутрирезонаторном преобразовании частоты в лазере на кристалле KGd(WO₄)₂:Nd³⁺, работающем в режиме пассивной синхронизации мод. В качестве наносекундного излучения накачки кристаллов LiF:F₂^- используется излучение Nd:YLF-лазера (λ = 1053 нм) с последующим усилением в фосфатном стекле ГЛС-22 до энергии 5 Дж. Усиление пробных ВКР-импульсов происходит в четырехкристальном двухкаскадном усилителе на кристаллах LiF:F₂^- с общей длиной активной среды 360 мм по встречной схеме. Измерены зависимости выходной энергии излучения от энергии накачки и величины входного сигнала.

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Fc, 42.65.Dr

Поступила в редакцию: 06.04.2006
Исправленный вариант: 25.05.2006