RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2006, том 36, номер 8, страницы 702–712 (Mi qe13198)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Статьи, посвященные 90-летию академика А.М.Прохорова

Исследование процессов передачи энергии в кристаллах гадолиний-галлиевого граната, активированных ионами Yb3+ и Ho3+

А. М. Беловоловa, М. И. Беловоловa, Е. М. Диановa, М. А. Ивановb, В. В. Кочурихинb, В. В. Рандошкинb

a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Проведено количественное исследование кинетик люминесценции доноров (Yb3+) и акцепторов (Но3+) в кристаллах гадолиний-галлиевого граната (GGG), активированных ионами Yb3+ и Но3+. Показано, что сенсибилизация переходов ионов Но3+ носит миграционно-ускоренный (прыжковый) характер. Определены значения микропараметров донор-донорного переноса энергии при температурах 300 и 77 К. При тех же температурах найдены микропараметры донор-акцепторного переноса энергии на первой ступени последовательной сенсибилизации (приводящей к заселению состояния 5I6 ионов Но3+), а также на второй ступени последовательной сенсибилизации перехода 5S2, 5F45I8 ионов Но3+. Для второй ступени сенсибилизации определены также значения микропараметра обратного переноса энергии. Обсуждаются перспективы получения в кристаллах GGG:Yb3+:Ho3+ лазерной генерации на сенсибилизированных переходах ионов Но3+ при накачке в полосу поглощения ионов Yb3+.

PACS: 42.70.Hj, 32.50.+d

Поступила в редакцию: 12.04.2006
Исправленный вариант: 25.05.2006


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2006, 36:8, 702–712

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024