Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1100–1230 нм на основе InAs/AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с квантовыми точками

Исследованы суперлюминесцентные диоды (СЛД) на основе многослойной InAs/AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с квантовыми точками. Показано, что спектры выходного излучения СЛД сильно зависят от длины активного канала и тока инжекции. В частности, определены условия, когда в результате выравнивания интенсивностей квантовых переходов с 1-го и 2-го возбужденных состояний спектр излучения перекрывает полосу 1100-1230 нм. В этом спектральном интервале серийно выпускаемые СЛД отсутствуют. Конструкция СЛД допускала работу в непрерывном режиме инжекции и эффективный ввод выходного излучения в одномодовый волоконный световод. Выходная мощность достигала 1 мВт в открытое пространство и 0,5 мВт при ее выводе через световод. Предварительные ресурсные испытания продемонстрировали достаточно высокую надежность разработанных СЛД.