П. И. Хаджи, Л. Ю. Надькин, “О методе диагностики полупроводников при двухфотонном возбуждении биэкситонов”, Квантовая электроника, 36:5 (2006), 415

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Нелинейно-оптические явления

О методе диагностики полупроводников при двухфотонном возбуждении биэкситонов

П. И. Хаджи^ab, Л. Ю. Надькин^b

^a Институт прикладной физики АН Молдовы, г. Кишинев
^b Приднестровский государственный университет им. Т. Г. Шевченко, г. Тирасполь

Аннотация: Представлена версия однофотонного тестирования оптических свойств полупроводника в условиях, когда благодаря двухфотонному поглощению мощный импульс накачки возбуждает биэкситоны из основного состояния кристалла. Предсказана возможность существования лоренцоподобного пика поглощения и найден квазиполяритонный закон дисперсии в области, где отсутствует реальный энергетический уровень. Изучена временная эволюция полосы поглощения под действием ультракоротких импульсов.

PACS: 42.25.Bs, 42.65.An, 42.65.Vh, 78.20.Dj

Поступила в редакцию: 27.10.2005
Исправленный вариант: 10.03.2006