Моделирование ватт-амперных и спектральных характеристик полупроводниковых лазеров на основе InGaAlAs/InP

Проведено моделирование ватт-амперных и спектральных характеристик полупроводниковых лазеров с использованием моделей с обращением и без обращения масс для излучательных переходов с выполнением и без выполнения правила отбора по волновому вектору. Наилучшее совпадение теории и эксперимента получено в случае модели без обращения масс с излучательными переходами без выполнения правила отбора. Обсуждаются полученные результаты.