RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2007, том 37, номер 6, страницы 565–574 (Mi qe13428)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество

Бесстолкновительное поглощение интенсивного лазерного излучения в наноплазме

Д. Ф. Зарецкийa, Ф. А. Корнеевb, С. В. Попруженкоb

a Российский научный центр "Курчатовский институт", г. Москва
b Московский инженерно-физический институт (государственный университет)

Аннотация: Вычислена скорость линейного бесстолкновительного поглощения электромагнитного излучения в наноплазме – классическом электронном газе, локализованном в нагретых ионизованных нанотелах (тонкой плёнке или кластере), облучаемых интенсивным фемтосекундным лазерным импульсом. Поглощение обусловлено неупругим рассеянием электронов на самосогласованном потенциале системы в присутствии лазерного поля. Эффект оказывается существенным благодаря малому размеру рассматриваемых систем. Получены общие выражения для скорости поглощения в линейном по полю режиме в зависимости от параметров одночастичного самосогласованного потенциала и функции распределения для электронов. В простейших случаях, когда самосогласованное поле создаётся бесконечно глубокой ямой и бесконечной заряжённой плоскостью, найдены замкнутые аналитические выражения для скорости поглощения. Приводятся оценки, показывающие, что в широком интервале параметров лазерных импульсов и наноструктур бесстолкновительный механизм нагрева электронной подсистемы может быть доминирующим. Обсуждается возможность экспериментального наблюдения эффекта бесстолкновительного поглощения интенсивного лазерного излучения в наноплазме.

PACS: 78.20.-e, 78.20.Ci, 36.40.-c, 36.40.Gk, 36.40.Vz

Поступила в редакцию: 13.09.2006
Исправленный вариант: 22.12.2006


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2007, 37:6, 565–574

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024