Аннотация:
Показано, что оптимизация структуры активного канала суперлюминесцентных диодов (СЛД) спектрального диапазона 1100–1230 нм на основе InAs/AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с квантовыми точками позволяет заметно повысить их внешнюю квантовую эффективность. При выводе излучения через отрезок одномодового волоконного световода достигнута непрерывная выходная мощность 1.3 и 0.9 мВт при ширине спектра излучения 27 и 110 нм соответственно. Результаты предварительных ресурсных испытаний позволяют прогнозировать достаточно высокую надежность этих СЛД.