RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2007, том 37, номер 4, страницы 331–333 (Mi qe13465)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Лазеры

Суперлюминесцентные диоды повышенной эффективности на основе гетероструктуры с квантовыми точками

Е. В. Андрееваa, П. И. Лапинa, В. В. Прохоровa, С. Д. Якубовичb

a ООО "Суперлюминесцентные диоды", г. Москва
b Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)

Аннотация: Показано, что оптимизация структуры активного канала суперлюминесцентных диодов (СЛД) спектрального диапазона 1100–1230 нм на основе InAs/AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с квантовыми точками позволяет заметно повысить их внешнюю квантовую эффективность. При выводе излучения через отрезок одномодового волоконного световода достигнута непрерывная выходная мощность 1.3 и 0.9 мВт при ширине спектра излучения 27 и 110 нм соответственно. Результаты предварительных ресурсных испытаний позволяют прогнозировать достаточно высокую надежность этих СЛД.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 85.60.Jb

Поступила в редакцию: 16.10.2006


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2007, 37:4, 331–333

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024