RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 10, страницы 917–921 (Mi qe1349)

Активные среды

Кинетика активной среды лазера с ядерной накачкой на переходах атома кадмия

А. В. Карелин, Р. В. Широков

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Создана кинетическая модель активной среды лазера с ядерной накачкой (смесь He – Cd – CCl4) на переходах иона и атома кадмия. В результате численного моделирования установлено распределение релаксационного потока по возбужденным состояниям атома кадмия. Изучены механизмы влияния добавки четыреххлористого углерода на развитие релаксационных процессов в He – Cd-плазме и на получение генерации на линии с λ = 325.0 нм. Показано, что основной причиной, препятствующей получению генерации на переходе 4d95s2 2D3/2 → 4d105p2P1/2, является паразитное поглощение рабочего излучения метастабильными атомами кадмия.

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 05.02.1998


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1998, 28:10, 893–897

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024